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“IGBT高精度动力电池测试仪”参数说明
| 产量： | 1000 |
“IGBT高精度动力电池测试仪”详细介绍
国内首台大功率IGBT全参数自动测试系统
我公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有高端半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台igbt测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际水平。目前我公司提供的IGBT测试仪采用模块式功放结构, 主极电流400A/500A/1000A/1250A可选, 2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。IGBT测试仪可测IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,rCE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品水平。绝缘栅晶体管、IGBT测试参数及精度
| 电参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
| ICES IGESFIGESR | 0.10V- 2000V0.10V - 20V(80V)（2） | 100nA(100pA)（1）- 50mA100nA(100pA)（1）- 3A | 1nA(50pA)（1） | 1%+10nA+20pA/V(1%+200pA+2pA/V)（1） |
| BVCES | 0.1V-1000V- 1400V- 1600V | 100μA - 200mA -100mA -50mA | 5mV | 1%＋100mV |
| VGETH | 0.10V- 20.0V(80V)（2） | 100nA- 3A | 5mV | 1%+10mV |
| VCESATICONVGEONVFGFS(混合参数) | VCE: 0.10V- 5.00V- 9.99VVGE、VF:0.10V - 9.99V | IC: 10μA-1250A - 1250AIGE、IF: 100nA - 10A | 5mV | V: 1%+10mVIC,IF: 1%+100nAIGE: 1%+5nA |
（1）需要小电流台选件（2）需要栅极80V选件IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器, 从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比, 该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试, 具有更高的使用效率。与国外同类产品相比, 该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。
